记忆体市场供需反转，华邦电(2344)乘势而起站上涨停

人工智慧應用的爆發式成長，正在引發全球晶片產業的劇烈震盪。國際大廠紛紛將資源集中於高毛利的HBM生產，導致傳統DRAM與快閃記憶體面臨前所未有的缺貨危機。在這波結構性短缺的浪潮中，華邦電成為了最直接的獲益者，其股價今日強勢封漲停，終場收於67.9元，漲幅達9.87%，成交量與成交值雙雙位居台股之冠。更值得關注的是，這已是該股連續第三個交易日上揚，累計漲幅高達20.37%，帶動了整個記憶體族群的聯袂走揚。

供給端劇烈收縮，DDR4現貨價格翻倍上漲

記憶體市場正在經歷否極泰來的轉折。主要DRAM供應商的平均庫存週數從去年底的13至17週，急劇萎縮至今年10月的僅2至4週，創下產業歷來新低。這種庫存的大幅去化，反映出市場的供給極度緊張。

尤其值得注意的是，DDR4規格的記憶體自第三季以來，出現了根本性的供需反轉。全球領先廠商優先保障高階芯片的產能，將DDR4生產線逐步轉向新一代DDR5及HBM產線。中國同業的同步調整更加劇了這一趨勢，導致DDR4供給量銳減。

然而需求端卻依然旺盛。企業級固態硬碟、工業電腦等主流儲存裝置仍需搭載DDR4記憶體，實際需求遠超市場預期。其中16Gb規格的DDR4現貨價格已經飆升至每顆約100美元的水準，遠高於業界參考報價的45.5美元，漲幅之驚人令人瞠目結舌。

華邦電營收創三年新高，兼具產能與報價雙重優勢

華邦電2025年11月合併營收衝上86.29億元，環比成長近5%，同比增幅更高達38.7%，創下超過三年的最佳表現。累計前11個月營收達796.35億元，年增率為5.85%。

這份亮眼的成績單背後，是公司對市場趨勢的精準洞察。華邦電率先啟動雙軸產能擴充計畫，一方面台中廠區持續提升NOR Flash、NAND Flash與成熟製程DRAM的產出，另一方面高雄新廠的DRAM月產能從現階段的1.5萬片晶圓，計畫拉升至2.4萬至2.5萬片，並預計2026年第一季量產更先進的16奈米製程產品。

從價格走勢看，DDR4合約價從年初的每顆新台幣1元多，飆升至第四季的5至6倍，市場甚至出現過DDR4現貨價超越DDR5的罕見「價格倒掛」現象。外資機構預測，2026年全球DDR4供需缺口將擴大至10%以上，NOR Flash供應缺口也將持續擴大，報價有望在明年第一季上漲超過20%。

股價技術面強勢確立，法人三路齊聲看多

華邦電今日開高走高，盤中成交量於上午10時即突破20萬張，股價觸及布林帶上軌並穩站各短期均線之上，形成明確的多頭排列，短線動能十分強勁。

更關鍵的是，資金面透露出強烈的樂觀訊號。上週統計顯示，外資、投信與自營商三大法人同步加碼華邦電，合計買超張數超過5萬張，其中外資單週買超即超過4.2萬張，成為主要推動力量。

機構投資者的一致看好，源於他們對記憶體產業上升週期的堅定判斷。多家外資機構研究報告均表示，記憶體報價上漲動能可望延續至2026年，並建議投資者「此時不應急於獲利了結」。華邦電已被明確列為該產業中的優先推薦標的。

2026年成長最具看點，台灣記憶體類股機遇浮現

展望未來，華邦電將面臨最為有利的營運環境。在人工智慧、工業控制、車用電子及網路通訊等多元應用需求齊頭並進的驅動下，市場預期華邦電將在2026年的記憶體產業上升週期中，邁入獲利成長最顯著的階段。

分析師指出，華邦電與旺宏等台灣記憶體製造原廠的庫存週轉天數，已從往日約185天的常態水準明顯下降至140天左右，營收與獲利能力已見實質改善。在高頻寬記憶體（HBM）等尖端技術尚未完備的當下，台灣廠商正透過DDR4與DDR5標準型記憶體的漲價「外溢效應」獲得實實在在的收益。

華邦電股價目前正蓄勢挑戰2025年以來的前高69.1元，在產業基本面轉佳、產品報價看漲、籌碼趨於集中的多重支持下，整個記憶體族群的後續表現，將緊密跟隨市場報價走勢與終端實際需求的變化而定。這波否極泰來的行情，為投資者提供了難得的機遇。