¡Subida violenta en medio de la sesión! ¡Buenas noticias repentinamente afectan a los chips!

¡Las memorias chips de almacenamiento se recuperan con fuerza!

El 10 de marzo, en el mercado de valores de Corea, las acciones de los gigantes de chips de almacenamiento SK Hynix y Samsung Electronics subieron significativamente. Durante la sesión, SK Hynix alcanzó un aumento de más del 13%, y Samsung Electronics subió más del 10%.

Ese día, las acciones relacionadas con chips de almacenamiento en el mercado A también se dispararon, con un aumento del índice del sector de más del 2%. Al cierre del mediodía, Lianrui New Materials subió más del 17%, Boke New Materials y Kexiang Co. más del 10%.

Desde el aspecto de las noticias, la cadena de suministro global de chips de almacenamiento ha recibido varias noticias favorables: primero, SK Hynix y Samsung Electronics fueron seleccionadas como proveedores de la nueva generación de aceleradores de IA de Nvidia, Vera Rubin, con envíos previstos para este mes; segundo, SK Hynix anunció hoy que ha desarrollado un avanzado producto de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) LPDDR6, diseñado específicamente para dispositivos móviles con funciones de inteligencia artificial (IA); tercero, el lunes, el CEO de Nvidia, Jensen Huang, instó a los fabricantes de DRAM a ampliar su producción, diciendo “compren todo lo que puedan”.

Las acciones de chips de almacenamiento suben con fuerza

Tras días de volatilidad, las acciones globales de chips de almacenamiento regresan con fuerza. Hoy, durante la sesión, SK Hynix subió más del 13%, y Samsung Electronics más del 10%. En la noche, en el mercado estadounidense, las acciones relacionadas con almacenamiento también subieron, con SanDisk ganando más del 11%, Western Digital casi un 7%, y Micron Technology más del 5%.

El sector de chips de almacenamiento en A también se elevó considerablemente hoy, con un aumento del índice del sector de más del 2% al mediodía. Lianrui New Materials subió un 17.65%, Boke New Materials más del 14%, Kexiang Co. más del 10%, Juguang Technology más del 9%, Yishitong más del 8%, Weice Technology y Tianma New Materials más del 7%, Tai Chi Industrial, Nanya New Materials y Koma Technology también mostraron fuertes avances.

Los analistas señalan que la corrección en los precios internacionales del petróleo ha aliviado las preocupaciones del mercado sobre la inflación, favoreciendo la tendencia de las acciones de crecimiento. Además, las noticias positivas en la industria de chips de almacenamiento han impulsado significativamente el ánimo del sector.

Según informes de medios coreanos, Samsung Electronics y SK Hynix han sido seleccionadas como proveedores en la lista de Nvidia para su nueva generación de aceleradores de IA, Vera Rubin. Debido a que HBM4 requiere más de seis meses desde la fabricación del wafer de DRAM hasta el empaquetado final, ambas empresas esperan comenzar la producción lo antes posible este mes.

Se informa que, aunque la asignación y el precio de HBM4 para Vera Rubin aún no están definidos, las fuentes esperan que, incluyendo HBM3E, SK Hynix ocupe más de la mitad de la oferta total de HBM de Nvidia en 2026, mientras que Samsung Electronics liderará el suministro exclusivo de HBM4 para Vera Rubin. Según TrendForce, SK Hynix seguirá liderando la producción mundial de bits de HBM, con una participación del 50% (por debajo del 59% en 2025), y Samsung Electronics aumentará su cuota del 20% al 28%.

Es importante destacar que Nvidia exige que la tasa de transferencia de datos de HBM4 utilizada en Vera Rubin supere los 10 Gb/s, mucho más alto que el estándar de la industria JEDEC de 8 Gb/s. Se informa que Samsung Electronics ya ha pasado con éxito las pruebas de certificación de Nvidia en niveles de 10 Gb/s y 11 Gb/s, mientras que SK Hynix continúa optimizando sus productos para cumplir con la prueba a 11 Gb/s.

Además, el martes, SK Hynix anunció que ha desarrollado un avanzado producto de memoria DRAM LPDDR6, diseñado específicamente para dispositivos móviles con funciones de IA.

SK Hynix afirmó que el DRAM LPDDR6 de 16 Gb basado en la tecnología de proceso de sexta generación de 10 nanómetros fue presentado en la CES 2026 en enero de 2026 y ya ha completado el proceso de validación. La compañía declaró: “SK Hynix planea completar la preparación para la producción en masa en la primera mitad de este año y comenzar a suministrar en la segunda mitad, ampliando así nuestra línea de productos DRAM optimizados para aplicaciones de inteligencia artificial.”

La compañía añadió que este nuevo producto se aplicará en teléfonos inteligentes y tablets con funciones de IA en el terminal. Comparado con la generación anterior, el nuevo producto ofrece un aumento del 33% en la velocidad de procesamiento de datos. Además, ayudará a los consumidores a disfrutar de una mayor duración de batería y un rendimiento multitarea más optimizado.

Rumores de aumento de precios en la cadena de suministro

Según Global Times, citando medios coreanos Sedaily, el mercado mundial de NAND flash ha experimentado una tendencia continua de aumento de precios. Samsung Electronics, líder en participación de mercado, anunció que planea aumentar nuevamente los precios de sus principales productos NAND en el segundo trimestre de 2025, con un incremento estimado similar al del primer trimestre de este año.

Se informa que Samsung ya aumentó los precios de sus productos NAND en aproximadamente un 100% en el primer trimestre de este año en comparación con el trimestre anterior. Si la tendencia continúa en el segundo trimestre, los precios de NAND habrán subido aproximadamente un 200% respecto a finales del año pasado. Los expertos indican que, aunque los precios finales pueden variar ligeramente según el cliente, el aumento general previsto no cambiará significativamente.

No solo Samsung Electronics, sino toda la industria de NAND flash está en expectativa de nuevos aumentos de precios. Fuentes de la industria de semiconductores revelan que la capacidad de negociación de los fabricantes de chips de almacenamiento ha alcanzado niveles históricos, y que los clientes en la cadena de suministro están aceptando pasivamente los precios. Empresas líderes como SK Hynix y Kioxia también están preparando nuevos aumentos en los precios de NAND. Los datos del mercado confirman esta tendencia: TrendForce reporta que el precio promedio de los chips NAND de 128 Gb MLC en transacciones fijas en el mes pasado subió a 12.67 dólares, un 33.9% más que el mes anterior y un aumento del 452.3% en comparación con el año anterior.

El aumento sostenido en los precios de NAND flash se debe a múltiples factores del mercado. Por un lado, el desarrollo de la inteligencia artificial ha entrado en una etapa clave, con la evolución de la fase de entrenamiento de datos a la de inferencia, incrementando la demanda de almacenamiento a gran escala y resaltando el valor de la industria NAND. Además, las grandes empresas tecnológicas están invirtiendo cada vez más en centros de datos de IA, lo que impulsa rápidamente la demanda de dispositivos de almacenamiento y contribuye a la subida de precios.

Por otro lado, la reducción en la oferta también intensifica la tendencia alcista. Actualmente, Samsung y SK Hynix, las dos principales en el mercado de NAND, están redirigiendo su producción hacia productos semiconductores de mayor valor añadido como HBM, reduciendo significativamente la producción de NAND. En un contexto de desequilibrio entre oferta y demanda, se espera que los precios de NAND permanezcan en tendencia alcista a corto plazo.

El lunes, el CEO de Nvidia, Jensen Huang, hizo un llamado a los fabricantes de chips de almacenamiento en todo el mundo, diciendo: “Aumenten la producción, compren todo lo que puedan”.

En la conferencia de tecnología de Morgan Stanley, Huang afirmó que la escasez de chips es “una excelente noticia” para Nvidia, ya que la limitación de recursos incentiva a los clientes a optar por soluciones de mayor rendimiento. También instó a los fabricantes de DRAM: “Cuánto produzcan, nosotros lo utilizaremos”.