SatoshiNotNakamoto

У вихідні вийшов дуже вартий уваги подкаст, у якому брав участь Чень Ліву з No Priors. Це також його перший подкаст після приєднання до Intel.
Зокрема, є багато важливих моментів, на які варто звернути увагу:
1️⃣ Зміни у матеріалознавстві:
Він згадав, що зосереджує увагу на передових технологіях пакування EMIB, скляних підкладках, а також нових матеріалах, таких як галлієвий нітрид (GaN), кремнієвий карбід (SiC), індієвий фосфід (InP) та штучно синтезовані діаманти.
2️⃣ Сильне зростання попиту на CPU
У співвідношенні CPU та GPU в серверах дата-центрів воно вже змінилося з 1:8 до 1:4

SK Hynix Без зайвих слів, найкращий вибір для пам’яті.
Пам’ятаєте, що перша ціна покупки була лише 700 000, тоді першою метою було досягти 1М, а тепер майже 3М за мить.

还有一个其实也相关的新闻“SK 海力士将于今年底实现 375 层 NAND 的量产，并导入钼材料”。
用钼（Mo）代替钨，讨论一直有，SK的量产也代表一种趋势。
这次的产品原本是400 层级，后来修正为 375 层。NAND 闪存通过垂直堆叠数百层存储单元及其控制字线来提升容量；在 375 层产品中，SK 海力士决定在金属栅电极（即字线）中，将部分钨替换为钼。
在高层堆叠 NAND 结构中，钼被视为可以克服钨限制的材料。随着层数上升，线宽变窄，钨在超细结构中的电阻随尺寸缩小而上升，导致信号传输变慢。钼在细线字线结构中的电阻低于钨，有利于加快信号传输，从而提升写入和擦除速度。
此外，钨在沉积前需要先形成阻挡衬里层，每增加一层都会带来有效厚度的损失；而钼可以在无需该辅助层的情况下直接沉积，有助于实现更高密度结构。
不过，引入钼的工艺本身技术难度不低。钼前驱体在室温下为固体，需要通过加热并稳定供给的技术，才能以稳定的流量和用量进行供应。
三星电子则已在其第九代 286 层 3D NAND（于 2024 年 4 月进入量产）中导入钼金属布线。其下一代第十代 3D NAND（层数超过 400 层）计划在今年下半年实现商品化，且三星正在扩大采用钼的工艺步骤数。
用于 3D NAND 的钼材料需求预计将快速增长。业界估计，三星在去年采购或将采购约 4 吨钼，今年约 10 吨；到 2027 年预计

一场钨的出口限制将引发WF6的缺乏。
两家日本厂（关东电化＋中央硝子）合计 WF₆ 产能约 2000–2200 吨/年，占全球供应约 25%。而他们因为缺少原材料，从6月底开始停产WF6。
六氟化钨是 CVD/WCVD 工艺沉积金属钨的核心前驱体，用于接触孔填充（via fill）、金属互连、DRAM 电容和 3D NAND/HBM 结构中的钨层。

可以共情以前大家去日本代购纸尿裤了。
怎么中国产的纸尿裤都危险☢️

好的股票，别做那么多垃圾波段，拿住就好了。引以为戒。
忍不住想交易的时候就去多读点书看看研报做做重训。