#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

Ми відходимо від хаотичних, різких стрибків цін, спричинених панікою після дефіциту постачань; натомість ми входимо в період структурно міцного, керованого ШІ розширення, яке, як очікується, триватиме до 2027 року.



Динаміка, що визначає цей цикл, пояснює, чому ринок зберігав стійкість, попри уповільнення попиту з боку споживачів.



Зростання цін у 2 кварталі 2026 року та спад у 3 кварталі: Другий квартал 2026 року був надзвичайно потужним для виробників пам’яті; однак уповільнення в третьому кварталі сигналізує, що споживачі досягають меж своєї купівельної спроможності.



Традиційна DRAM: Середнє зростання 74%; очікується, що темпи сповільняться до діапазону 13%–18%.



Серверна DRAM: +60% до +67%; підсилена модулями високопродуктивної DDR5; спотові ціни торгуються з відчутною премією порівняно з контрактними цінами.



Мобільна DRAM: ~80%; спостерігався різкий пік, але виробники смартфонів (OEM) тепер коригують графіки закупівель і скорочують конфігурації через витрати.



NAND Flash: ~60% (загалом за контрактами); наявні суттєві розбіжності. Спотові ціни на вафлі знизилися на 3%–4% у червні, але сегменти enterprise SSD і мобільного зберігання (+70% до +80%) підтримали ринок.



ШІ-керований структурний зсув: Чому цього разу інакше? Історично цикли пам’яті характеризувалися моделями «бум—крах»: постачальники нарощують надлишкові виробничі потужності, попит споживачів на ПК і смартфони падає, а ціни досягають дна.



Цей цикл фундаментально переформатовують дві ключові сили:



Довгострокові угоди (LTA): оператори гіпермасштабних дата-центрів і Tier-1 постачальники послуг US Cloud (CSP) більше не покладаються лише на закупівлі на відкритому спотовому ринку. Вони укладають контракти на 3–5 років, що включають жорсткі цінові «підлоги», аби захиститися від спадів. Наприклад, тоді як такі постачальники, як SK Hynix і Micron, підписали великі LTA на початку року, щоб забезпечити розподіл продуктів, Samsung зайняла агресивнішу позицію, спрямовану на досягнення вищих цінових стель.



Зсув потужностей (канібалізація): ненаситний попит на High Bandwidth Memory (HBM) і передову серверну DDR5 означає, що виробники зміщують фізичні потужності вафель від виробництва традиційної PC- і мобільної DRAM у бік цих сегментів. Навіть коли попит на споживчу електроніку слабшає, загальна пропозиція лишається обмеженою, бо виробничі майданчики (fabs) зосереджені на випуску високоприбуткових AI-чипів.



Перспективи постачальників



Погляд Bernstein підкреслює переможців цієї надзвичайно диверсифікованої, орієнтованої на ШІ стратегії виробництва:



Samsung, SK Hynix і Micron (перевершення): Ці три компанії є основними бенефіціарами буму HBM і DDR5; вони мають суттєві, завчасно забезпечені беклоги замовлень за Довгостроковими угодами (LTA), що згладжують траєкторії їхніх доходів до 2027 року.



SanDisk (перевершення): Дуже вигідне становище завдяки надзвичайно сильній структурній позиції в контрактах на enterprise SSD, що пропонує високу цінову «підлогу» (~$0.29/GB) і захищає від незначних коливань цін на вафлі NAND.



Kioxia (обережно/недовипередження): Піддається більш волатильним, не-LTA ринкам спотових товарних спалахів і менш захищена від пом’якшення сегмента споживчих вафель.



Фаза «ракетного корабля» щомісячних стрибків цін закінчується, але не сприймайте це як кінець бичачого ринку. Структурна базова лінія для ціноутворення на пам’ять залишається на високому рівні. Нормалізація не очікується, що повністю запрацює, аж доки не пізно 2027 або 2028 року, коли щойно побудовані виробничі потужності нарешті вийдуть на роботу.