#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
Nos alejamos de los picos de precio caóticos y repentinos provocados por el pánico tras las escaseces de suministro; en su lugar, entramos en un periodo de expansión estructuralmente sólida, impulsada por IA, que se espera se extienda hasta 2027.
Las dinámicas que impulsan este ciclo explican por qué el mercado se ha mantenido resiliente a pesar del debilitamiento de la demanda de los consumidores.
Aumentos de precio en el 2T 2026 y desaceleración en el 3T: El segundo trimestre de 2026 fue enorme para los fabricantes de memoria; sin embargo, la desaceleración en el tercer trimestre señala que los consumidores están alcanzando los límites de su poder adquisitivo.
DRAM tradicional: aumento promedio del 74%; se espera que el crecimiento se modere al rango del 13%–18%.
DRAM para servidores: +60% a +67%; respaldada por módulos DDR5 de alto rendimiento; los precios spot se negocian con primas significativas frente a los precios de contrato.
DRAM móvil: ~80%; registró un pico pronunciado, pero los fabricantes de smartphones (OEMs) ahora están ajustando los calendarios de compras y recortando configuraciones debido a los costos.
Flash NAND: ~60% (contrato general); se observan divergencias importantes. Los precios spot de obleas cayeron 3%–4% en junio, pero los segmentos de SSD empresarial y almacenamiento móvil (+70% a +80%) sostuvieron el mercado.
Cambio estructural impulsado por IA: ¿Por qué es diferente esta vez? Históricamente, los ciclos de memoria se han caracterizado por patrones de “auge y caída”: los proveedores acumulan exceso de capacidad, la demanda de los consumidores por PCs y smartphones cae, y los precios tocan fondo.
Este ciclo se está reconfigurando fundamentalmente por dos fuerzas clave:
Acuerdos a largo plazo (LTAs): los operadores de centros de datos hiperescalables y los Proveedores de Servicios Cloud de primer nivel (CSP) de EE. UU. ya no dependen únicamente de compras desde el mercado spot abierto. Están firmando contratos de 3 a 5 años que incluyen pisos de precio estrictos para protegerse ante las caídas. Por ejemplo, mientras proveedores como SK Hynix y Micron firmaron importantes LTAs a principios de año para asegurar asignaciones de producto, Samsung adoptó una postura agresiva orientada a lograr techos de precio más altos.
Desviación de capacidad (canibalización): la demanda insaciable de High Bandwidth Memory (HBM) y DDR5 avanzada de servidores significa que los fabricantes están desplazando la capacidad física de obleas desde la producción tradicional de DRAM para PC y móvil hacia estos sectores. Incluso cuando se debilita la demanda de electrónica de consumo, la oferta general sigue limitada porque las instalaciones de producción (fabs) se concentran en fabricar chips de IA de alto margen.
Perspectiva de los proveedores
La visión de Bernstein destaca a los ganadores de esta estrategia de producción altamente diversificada y centrada en IA:
Samsung, SK Hynix y Micron (superan): Estas tres empresas son los principales beneficiarios del auge de HBM y DDR5; cuentan con voluminosos pedidos asegurados de Acuerdos a largo plazo (LTA) que suavizan sus trayectorias de ingresos hasta 2027.
SanDisk (superan): Muy favorecida por su posición estructural excepcionalmente sólida en contratos de SSD empresarial, con un piso de precio alto (~$0,29/GB) que la protege de fluctuaciones menores en precios de obleas de NAND.
Kioxia (cautelosa/supera con menor rendimiento): Expuesta a mercados de flash de commodities más volátiles y no basados en LTA, y menos protegida ante el ablandamiento del segmento de obleas para consumidores.
La fase de “nave espacial” de alzas mensuales de precios está llegando a su fin, pero no confunda esto con el final del mercado alcista. El punto de partida estructural para la fijación de precios de la memoria sigue en un nivel alto. No se espera que la normalización se consolide por completo hasta finales de 2027 o 2028, ya que la nueva capacidad de producción construida finalmente entra en operación.
Nos alejamos de los picos de precio caóticos y repentinos provocados por el pánico tras las escaseces de suministro; en su lugar, entramos en un periodo de expansión estructuralmente sólida, impulsada por IA, que se espera se extienda hasta 2027.
Las dinámicas que impulsan este ciclo explican por qué el mercado se ha mantenido resiliente a pesar del debilitamiento de la demanda de los consumidores.
Aumentos de precio en el 2T 2026 y desaceleración en el 3T: El segundo trimestre de 2026 fue enorme para los fabricantes de memoria; sin embargo, la desaceleración en el tercer trimestre señala que los consumidores están alcanzando los límites de su poder adquisitivo.
DRAM tradicional: aumento promedio del 74%; se espera que el crecimiento se modere al rango del 13%–18%.
DRAM para servidores: +60% a +67%; respaldada por módulos DDR5 de alto rendimiento; los precios spot se negocian con primas significativas frente a los precios de contrato.
DRAM móvil: ~80%; registró un pico pronunciado, pero los fabricantes de smartphones (OEMs) ahora están ajustando los calendarios de compras y recortando configuraciones debido a los costos.
Flash NAND: ~60% (contrato general); se observan divergencias importantes. Los precios spot de obleas cayeron 3%–4% en junio, pero los segmentos de SSD empresarial y almacenamiento móvil (+70% a +80%) sostuvieron el mercado.
Cambio estructural impulsado por IA: ¿Por qué es diferente esta vez? Históricamente, los ciclos de memoria se han caracterizado por patrones de “auge y caída”: los proveedores acumulan exceso de capacidad, la demanda de los consumidores por PCs y smartphones cae, y los precios tocan fondo.
Este ciclo se está reconfigurando fundamentalmente por dos fuerzas clave:
Acuerdos a largo plazo (LTAs): los operadores de centros de datos hiperescalables y los Proveedores de Servicios Cloud de primer nivel (CSP) de EE. UU. ya no dependen únicamente de compras desde el mercado spot abierto. Están firmando contratos de 3 a 5 años que incluyen pisos de precio estrictos para protegerse ante las caídas. Por ejemplo, mientras proveedores como SK Hynix y Micron firmaron importantes LTAs a principios de año para asegurar asignaciones de producto, Samsung adoptó una postura agresiva orientada a lograr techos de precio más altos.
Desviación de capacidad (canibalización): la demanda insaciable de High Bandwidth Memory (HBM) y DDR5 avanzada de servidores significa que los fabricantes están desplazando la capacidad física de obleas desde la producción tradicional de DRAM para PC y móvil hacia estos sectores. Incluso cuando se debilita la demanda de electrónica de consumo, la oferta general sigue limitada porque las instalaciones de producción (fabs) se concentran en fabricar chips de IA de alto margen.
Perspectiva de los proveedores
La visión de Bernstein destaca a los ganadores de esta estrategia de producción altamente diversificada y centrada en IA:
Samsung, SK Hynix y Micron (superan): Estas tres empresas son los principales beneficiarios del auge de HBM y DDR5; cuentan con voluminosos pedidos asegurados de Acuerdos a largo plazo (LTA) que suavizan sus trayectorias de ingresos hasta 2027.
SanDisk (superan): Muy favorecida por su posición estructural excepcionalmente sólida en contratos de SSD empresarial, con un piso de precio alto (~$0,29/GB) que la protege de fluctuaciones menores en precios de obleas de NAND.
Kioxia (cautelosa/supera con menor rendimiento): Expuesta a mercados de flash de commodities más volátiles y no basados en LTA, y menos protegida ante el ablandamiento del segmento de obleas para consumidores.
La fase de “nave espacial” de alzas mensuales de precios está llegando a su fin, pero no confunda esto con el final del mercado alcista. El punto de partida estructural para la fijación de precios de la memoria sigue en un nivel alto. No se espera que la normalización se consolide por completo hasta finales de 2027 o 2028, ya que la nueva capacidad de producción construida finalmente entra en operación.
