SK Hynix accélère la construction de l’usine de Yongsan et lance la procédure d’acquisition d’équipements pour la fab de plaquettes Y1

D’après les médias sud-coréens de ZDNET, SK Hynix a commencé l’achat de matériel pour le premier cleanroom de sa fab Y1 dans le cluster des semi-conducteurs de Yongsan, le 14 juillet, avec des plans initiaux visant à ajouter une capacité de production de 20 000 wafers par mois de DRAM 1c.

Le lancement du premier cleanroom de la fab Y1 a été avancé à février 2027, contre mai 2027 initialement prévu. La société prévoit de démarrer la construction d’une ligne de production pilote à cette échéance et de réaliser l’installation formelle des équipements entre mars et avril. La ligne de production se concentrera sur une DRAM 1c de classe 10 nanomètres de sixième génération pour des applications IA à forte valeur, notamment des produits DDR et LPDDR, avec des plans pour fournir de la HBM4E dès 2027.