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三星 HBM4E 良率超过 70%，D1d DRAM 工艺目标是 11 月获得生产批准
三星 HBM4E 良率超过 70%，D1d DRAM 工艺目标是 11 月获得生产批准
Gate News
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2026-07-01 06:01:31
据三星电子DS部门CTO宋在赫透露，截至6月30日，HBM4E可靠性测试良率已超过70%，开发进入稳定阶段。该公司于2月开始量产HBM4，正推进下一代D1d DRAM工艺技术，目标是在11月获得生产准备批准。D1d将应用于三星的HBM5及后续产品。
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