Navitas lance la technologie MOSFET SiC de 5ème génération pour alimenter les centres de données de nouvelle génération

Navitas Semiconductor (Nasdaq : NVTS) a présenté sa dernière génération de technologie de MOSFET en carbure de silicium (SiC) conçue pour répondre à la demande croissante de conversion d’énergie dans les infrastructures d’IA et les systèmes énergétiques. La société a annoncé la plateforme GeneSiC de 5e génération le 12 février 2026, marquant une avancée significative dans la performance des semi-conducteurs haute tension. Cette nouvelle architecture combine une conception planar assistée par tranchée de pointe avec des spécifications de fiabilité améliorées, positionnant Navitas comme un acteur clé dans le domaine des MOSFET pour les centres de données et les infrastructures de réseau.

Cette avancée intervient à un moment critique où les centres de données d’IA et les installations d’énergie renouvelable nécessitent des composants électroniques de puissance plus efficaces et compacts pour faire face à la hausse des exigences opérationnelles. La plateforme MOSFET mise à jour de Navitas répond à ces défis grâce à sa architecture TAP la plus sophistiquée à ce jour, offrant aux professionnels du secteur une voie pour réduire la consommation d’énergie et les coûts opérationnels dans des applications exigeantes.

Percée en performance : ce que signifie une efficacité améliorée de 35 %

La technologie MOSFET de 5e génération offre une amélioration remarquable de 35 % du critère de performance RDS,ON × QGD par rapport à la génération précédente de 1200V, modifiant fondamentalement la façon dont les concepteurs de systèmes abordent l’optimisation des étages d’alimentation. Cette avancée se traduit directement par une réduction des pertes de commutation, un fonctionnement plus frais des dispositifs et la possibilité de fonctionner à des fréquences plus élevées sans compromettre la stabilité.

La technologie atteint une amélioration supplémentaire d’environ 25 % du ratio QGD/QGS, permettant des temps de réponse de porte plus rapides. Associée à la spécification robuste de tension de seuil élevée (VGS,TH ≥ 3V) de la plateforme, cette nouvelle génération de MOSFET démontre une immunité exceptionnelle contre les événements parasitiques de mise sous tension. Cette caractéristique est particulièrement précieuse dans les environnements industriels bruyants où l’intégrité du signal impacte directement la fiabilité du système.

La plateforme de 5e génération optimise également la caractéristique RDS(ON) × EOSS tout en intégrant une diode douce propriétaire. Cette intégration minimise les interférences électromagnétiques (EMI) lors des cycles de commutation à haute vitesse et assure une commutation plus fluide, améliorant la stabilité du système bien au-delà de la performance individuelle du MOSFET.

Normes de fiabilité renforcées pour les applications critiques

Navitas a soumis cette génération de MOSFET à des tests de qualification AEC-Plus, qui dépassent les normes industrielles pour la fiabilité automobile et industrielle. La validation inclut :

• Des protocoles de test statique prolongés, 3 fois plus longs que les procédures de stress conventionnelles (HTRB, HTGB, HTGB-R)
• Des tests de fiabilité dynamique avancés, incluant une tension inverse (DRB) et un stress de commutation de porte (DGS) pour simuler des profils de mission à commutation rapide
• La mesure de décalage de VGS,TH la plus basse sur de longues cycles de commutation, garantissant une performance d’efficacité prévisible à long terme
• Une extrapolation de la fiabilité de l’oxyde de grille dépassant 1 million d’années à la tension de fonctionnement (18V) et à une température de jonction de 175°C
• Une résilience accrue aux rayons cosmiques avec des taux FIT (Failure In Time) exceptionnellement faibles pour les environnements en haute altitude et en fonctionnement continu

Ces spécifications répondent directement aux préoccupations de fiabilité des opérateurs d’infrastructures qui dépendent des dispositifs semi-conducteurs pour maintenir la disponibilité du système et une performance prévisible sur plusieurs décennies.

Complémentarité avec la technologie GaN dans le spectre des semi-conducteurs de puissance

La nouvelle génération de MOSFET SiC complète l’offre existante de Navitas en haute tension issue de la plateforme GeneSiC de 4e génération (gammes 2300V et 3300V), créant un portefeuille complet couvrant différentes plages de tension. Cette approche permet aux concepteurs de choisir la technologie MOSFET optimale — qu’elle soit basée sur le GaN ou le SiC — en fonction des exigences spécifiques des applications dans les centres de données d’IA, les infrastructures de réseau et l’électrification industrielle.

La stratégie de Navitas reflète plus de 30 ans d’expertise combinée dans les technologies de semi-conducteurs à large bande interdite. La gamme GaNFast continue d’offrir une livraison rapide de puissance et une haute densité, tandis que le portefeuille en expansion de MOSFET GeneSiC répond aux applications de moyenne tension nécessitant une efficacité supérieure et une fiabilité éprouvée à long terme.

Impact sur le marché et développement futur

Paul Wheeler, vice-président et directeur général de l’unité d’affaires SiC de Navitas, a souligné l’engagement de l’entreprise à soutenir ses clients dans la gestion des limites de conversion d’énergie des infrastructures de nouvelle génération : « Les améliorations technologiques significatives de notre technologie GeneSiC de 5e génération soulignent l’engagement de Navitas à fournir des performances et une fiabilité de premier ordre dans les MOSFET en carbure de silicium. »

Navitas prévoit de lancer de nouveaux produits exploitant cette plateforme MOSFET de 5e génération dans les mois à venir. La société a publié un livre blanc complet sur la technologie Trench-Assisted Planar, disponible en téléchargement, offrant aux concepteurs de systèmes des conseils techniques détaillés pour la mise en œuvre.

Avec plus de 300 brevets délivrés ou en instance et la reconnaissance en tant que première société de semi-conducteurs certifiée CarbonNeutral au monde, Navitas continue de fixer des références en matière d’innovation dans le domaine des semi-conducteurs de puissance, des MOSFET et des technologies à large bande interdite.