Kioxia начинает поставки 332-слойной флэш-памяти NAND для центров обработки данных ИИ, на 59% плотнее предыдущего поколения

Согласно The Japan Times, японский производитель микросхем Kioxia начал отправку образцов своей 3D NAND флэш-памяти 10-го поколения с 332 слоями операторам центров обработки данных ИИ. Новый чип обеспечивает на 59% более высокую битовую плотность по сравнению с продуктом восьмого поколения и достигает скорости 4,8 Гбит/с, что примерно на 33% быстрее предыдущего поколения, при этом снижая энергопотребление на 10% при вводе и на 34% при выводе данных. Производство будет наращиваться поэтапно на заводе Kioxia в Китаками, префектура Ивате, при этом значительные объёмы выпуска ожидаются в первой половине 2026 года.
Дисклеймер: Информация на этой странице может быть получена из источников третьих сторон и предоставляется только для ознакомления. Она не отражает взгляды или мнения Gate и не является финансовой, инвестиционной или юридической рекомендацией. Торговля виртуальными активами связана с высоким риском. Пожалуйста, не основывайте свои решения исключительно на данных этой страницы. Подробнее смотрите в Дисклеймере.
комментарий
0/400
Нет комментариев