Changxin Memory відстає в HBM на 3–4 роки, за даними аналітика SemiAnalysis

2026-07-14 02:05:31

Аналітик SemiAnalysis Рай Ван зазначив, що китайський виробник пам’яті Changxin Memory (CXMT), який готується до виходу на біржу, відстає від провідних конкурентів приблизно на три-чотири роки в технологіях HBM (high bandwidth memory), хоча компанії вдалося забезпечити близько 10% ринкової частки DRAM, виміряної в бітах. Рай Ван також відзначив, що хоча ця позиція в DRAM є міцною на тлі швидкозростаючого ринку, Changxin Memory загалом відстає в процесній технології приблизно на три роки.

Переглянути джерело

Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.

Пов’язані новини

5год тому

Акції SK Hynix і Samsung Semiconductor різко падають через невиправдані очікування щодо прибутків за 2-й квартал і розпродаж ADR

11год тому

SK Hynix завершує IPO на Nasdaq на суму 28 мільярдів доларів, оскільки виробники чипів пам’яті стикаються зі структурною трансформацією

15год тому

Акції Micron падають на 5,1% через занепокоєння щодо розширення потужностей виробництва чипів пам’яті, 13 липня

07-13 01:26

Chinatone подає другу заявку на IPO у Гонконзі, виручка за перший квартал 2026 року зростає на 77,4% через бум флеш-пам’яті

07-12 23:21

Генеральний директор SK Hynix прогнозує 2027 рік як найжорсткіший період дефіциту DRAM і NAND 10 липня

Поглиблений аналіз