Samsung розгортатиме 2-нм техпроцес для AI-пам’яті HBM5, що забезпечить на 50% вищу швидкість порівняно з HBM4E

2026-07-27 03:36:47

За даними Chosun Daily, 27 липня Samsung Electronics оголосила плани використовувати свій 2-нанометровий процес для базового кристала (base die) у восьмому поколінні високосмугової пам’яті (HBM5). Компанія заявила, що HBM5 оброблятиме дані більш ніж на 50% швидше, ніж поточні чипи HBM4E, використовуючи 2-нм базовий кристал Gate-All-Around і вдосконалені крізні з’єднання через кремнієві переходи (TSV), щоб підвищити швидкість і енергоефективність.

Переглянути джерело

Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.

Пов’язані новини

3год тому

Samsung та SK Hynix уклали довгострокові угоди щодо постачання ШІ-відеочипів $950B від Broadcom, NVIDIA та Microsoft

6год тому

Nvidia скорочує обсяг CPU-пам’яті для Vera Rubin NVL72 удвічі на тлі сплеску цін на LPDDR5X

07-26 04:31

Samsung і Broadcom укладають партнерство щодо AI-чипів на суму 200 млрд доларів до 2030 року станом на 25 липня

07-25 07:16

Samsung і Broadcom підписали партнерство з виробництва AI-чипів на суму понад 200 мільярдів доларів до 2030 року

07-25 03:13

Qualcomm планує до 2029 року досягти доходів від ЦОД у $15B Data Center на тлі поштовху з боку ІІ-чипів

Поглиблений аналіз