Tower Semiconductor інвестує 3 мільярди доларів у виробництво чипів у Японії 14 липня

За даними Reuters, Tower Semiconductor оголосила 14 липня про плани інвестувати 3 мільярди доларів у операції з виробництва напівпровідників у Японії, включно з 1 мільярдом доларів державного фінансування. Перший етап суттєво розширить потужності з виробництва 300-міліметрової кремнієвої фотоніки на підприємстві Fab 6, а повномасштабне виробництво очікується у четвертому кварталі 2027 року. Другий етап, який стартує одночасно, створить новий завод із виробництва обладнання для 300-міліметрової фотолітографії поруч із Fab 7.
Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.
Прокоментувати
0/400
Немає коментарів