Samsung-Broadcom ký kết hợp tác bán dẫn AI $200B AI Semiconductor Partnership kéo dài đến năm 2030

Samsung Electronics đã ký kết biên bản ghi nhớ (MOU) về hợp tác chiến lược với Broadcom vào ngày 24 (giờ địa phương) tại Hội nghị AI ở San Francisco. Sự hợp tác này, trị giá hơn 200B USD (khoảng 280 nghìn tỷ won), sẽ kéo dài đến năm 2030 và tập trung xây dựng cơ sở hạ tầng cốt lõi cho trí tuệ nhân tạo thế hệ tiếp theo. Quan hệ đối tác nhằm đáp ứng xu hướng gia tăng của các tập đoàn công nghệ lớn toàn cầu trong việc sử dụng các mạch tích hợp chuyên dụng cho ứng dụng (ASIC) được tùy chỉnh theo yêu cầu, kết hợp năng lực thiết kế chất bán dẫn tùy chỉnh của Broadcom với năng lực bộ nhớ, sản xuất đúc (foundry) và đóng gói của Samsung để nâng cao năng lực cạnh tranh của các chất bán dẫn cho AI.

Lễ ký có sự tham dự của Han Jin-man, Chủ tịch mảng Foundry của Samsung Electronics; Hock Tan, CEO của Broadcom; các lãnh đạo của cả hai công ty và quan chức chính phủ. Chủ tịch Lee Jae-myung và Chủ tịch Samsung Electronics Lee Jae-yong cũng có mặt tại sự kiện.

Quan hệ đối tác Samsung-Broadcom bao gồm bộ nhớ, foundry và đóng gói đến 2030

Hai công ty sẽ mở rộng hợp tác trong bộ nhớ, foundry và đóng gói tiên tiến trong 5 năm tới. Samsung Electronics sẽ cung cấp các sản phẩm bộ nhớ tiên tiến, bao gồm bộ nhớ băng thông cao (HBM), cho các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo của Broadcom. Quan hệ đối tác sẽ áp dụng quy trình foundry 2 nanometer và nhỏ hơn, cùng với công nghệ đóng gói tiên tiến, cho các sản phẩm chủ lực của Broadcom.

Samsung cung cấp HBM4 và áp dụng quy trình foundry 2nm cho sản phẩm của Broadcom

Samsung Electronics đã sản xuất hàng loạt và gửi HBM4, áp dụng công nghệ 1c DRAM và die nền 4nm, vào tháng 2. Sang tháng 5, công ty đã cung cấp mẫu HBM4E cho khách hàng. Bộ nhớ HBM của Samsung sẽ được sử dụng để nâng cao hiệu năng tính toán và hiệu suất sử dụng năng lượng của các bộ tăng tốc AI của Broadcom.

Ở mảng foundry, quan hệ đối tác sẽ áp dụng quy trình 2 nanometer và nhỏ hơn cho các sản phẩm chủ lực của Broadcom, bao gồm các chất bán dẫn truyền thông dữ liệu tốc độ cao thế hệ tiếp theo. Hai công ty dự kiến rút ngắn thời gian phát triển sản phẩm bằng cách liên kết thiết kế chất bán dẫn, tối ưu hóa quy trình, đóng gói và sản xuất hàng loạt.

Lãnh đạo nhấn mạnh giải pháp bán dẫn tích hợp cho kỷ nguyên AI

Jeon Young-hyun, Phó Chủ tịch phụ trách DS Division của Samsung Electronics, cho biết rằng “trong kỷ nguyên AI, các giải pháp bán dẫn tích hợp chặt chẽ giữa bộ nhớ, logic và đóng gói tiên tiến là rất quan trọng.” Ông cũng nói: “Chúng tôi sẽ mở rộng hợp tác với Broadcom để đẩy nhanh phát triển cơ sở hạ tầng AI trong tương lai và mang lại giá trị lớn hơn cho khách hàng.”

Charlie Kawas, Chủ tịch của Broadcom Semiconductor Solutions Group, cho biết: “Thông qua hợp tác với Samsung Electronics, chúng tôi sẽ tạo ra các giải pháp thế hệ tiếp theo được tối ưu hóa để cùng đa dạng hóa nhu cầu của thị trường.”

FAQ

Giá trị của quan hệ đối tác Samsung-Broadcom được công bố vào ngày 24 là bao nhiêu?

Quan hệ đối tác chiến lược giữa Samsung Electronics và Broadcom có trị giá hơn 200B USD (khoảng 280 nghìn tỷ won) và sẽ kéo dài đến 2030. Hợp tác này bao gồm bộ nhớ, foundry và đóng gói tiên tiến cho việc phát triển cơ sở hạ tầng AI.

Broadcom sẽ sử dụng những sản phẩm Samsung nào trong các bộ tăng tốc AI?

Broadcom sẽ sử dụng các sản phẩm bộ nhớ băng thông cao của Samsung, bao gồm HBM4 và HBM4E, trong các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo. Samsung đã sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 và cung cấp mẫu HBM4E cho khách hàng vào tháng 5. Quan hệ đối tác này cũng sẽ áp dụng các quy trình foundry 2 nanometer và nhỏ hơn của Samsung cho các sản phẩm chủ lực của Broadcom.