根據 Tom's Hardware 報導，英特爾於 7 月 2 日公開了一項專利申請，內容為一種名為 Cross-Batch Memory (XBM) 的新記憶體架構，旨在透過降低封裝成本與提升製造良率，來取代或補充傳統 HBM。
XBM 架構將 DRAM 電晶體轉移到後端製程 (BEOL) 層，並利用 UCIe 晶片互連標準，以 32 GT/s 序列化資料傳輸取代 HBM 的寬並行介面。英特爾強調內建修復機制與簡化的封裝結構，相比採用矽中介層的 HBM 堆疊，能降低整體成本。該專利最初於 2024 年 12 月提交，目前仍處於概念階段，尚未宣布任何產品或時間表。
