SK Hynix 於週四宣布,根據其執行長及南韓總統李在明出席的一場活動,該公司計劃投資 80 萬億韓元(約 514.6 億美元)興建一座新的 NAND 快閃記憶體製造廠。該公司將於明年在南韓清州市動工興建 M17 廠房,預計於 2029 年開始營運。
此外,SK Hynix 計劃在同一地點投資 20 萬億韓元興建一座新的晶片封裝設施,預計於 2027 年底前完工。
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