市场消息传出，Microsoft 与 Google 正与 SK 海力士洽谈为期三年的 DRAM 长约供应协议。除了设置价格下限条款，更预付 30% 订金，目标就是锁定 SK 海力士长期产能。
另一方面，SK 海力士正计划于 2026 年赴美上市，申请发行美国存托凭证（ADR）。业界预估募资将达到百亿规模，SK 海力士正于韩国龙仁打造总投资高达 600 兆韩元（约 4,000 亿美元）的半导体制造基地，并已投入数十兆韩元建设首座晶圆厂。同时，公司亦计划采购约 80 亿美元的先进微影设备，以扩大次世代芯片产能。
微软、Google 传与 SK 海力士签长约，设价格保底条款
根据业界透露，SK 海力士与微软已接近完成 DDR5 长约谈判，合约总值达数十兆韩元，并将自今年起展开三年供应。Google 则同步就高带宽存储器（HBM）与服务器 DRAM 展开类似协议。SK Hynix 透过“价格保底”避免未来 DRAM 价格剧烈下跌，同时要求客户预先支付大额订金，确保产能锁定与现金流稳定。
数据显示了这一转变。DRAM 固定交易价格已连续 11 个月上涨，DDR4 价格从去年 3 月的 1.35 美元飙升至今年 2 月的 13 美元，接近十倍增长。AI 服务器所需的 HBM 与传统 DRAM 同时短缺，使云端业者在数据中心扩张上面临严重瓶颈。
三星 DRAM 报价涨 100%，SK 海力士、美光或将跟进
微软与 Google 愿意承担价格僵固与资金占用成本，提前锁定未来三年的供货，实质上等同于将 DRAM 纳入长期资源配置。除了 SK 海力士外，这两家公司也正与三星、美光洽谈类似长约。今日就传出三星 DRAM 报价涨 100%，远超 1 月份的 70%。
（三星利润年增 755%！传 DRAM 报价再涨 100%，32 GB 记忆体恐涨破四百美元）
供给端也全面进入扩产周期。报道称，三星正加速推进 HBM4 与先进制程 DRAM 量产，而 SK 海力士则在清州 M15X 新厂与利川总部同步升级制程，并大举投入高阶记忆体产能，以回应需求压力。
SK 海力士将于今年赴美上市，规模突破百亿
另一方面，WSJ 指出，SK 海力士正计划于 2026 年赴美上市，申请发行美国存托凭证（ADR），以吸引全球资金支应其庞大的扩产计划。公司表示，最终上市规模与时程仍待美国证券交易委员会（SEC）审核与市场状况而定。
报道称分析这反映出更激进的资本支出策略。SK 海力士正于韩国龙仁打造总投资高达 600 兆韩元（约 4,000 亿美元）的半导体制造基地，并已投入数十兆韩元建设首座晶圆厂。同时，公司亦计划采购约 80 亿美元的先进微影设备，以扩大次世代芯片产能。
在产品层面，SK 海力士凭借 HBM3 与 HBM3E 率先打入 NVIDIA 供货链，取得 AI 记忆体市场领先地位。分析师普遍预期，在 AI 需求持续推升下，记忆体供给至少要到 2028 年初才可能赶上需求。
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