تعلن شركة Tower Semiconductor عن استثمار $3B في اليابان، بما في ذلك منحة حكومية $1B ، بهدف توسيع تصنيع الرقائق

وفقاً لوكالة رويترز، أعلنت شركة Tower Semiconductor اليوم (14 يوليو) عن استثمار بقيمة 3 مليارات دولار لتوسيع تصنيع الرقائق في اليابان، مع تخصيص 1 مليار دولار من التمويل الحكومي الياباني. وستقوم الشركة بزيادة طاقة أجهزة السيليكون الضوئية مقاس 300 مم على مرحلتين. تتعلق المرحلة الأولى بترقية منشأة Fab 6، ومن المتوقع أن تبدأ الإنتاج بكامل طاقتها في الربع الرابع من عام 2027. أما المرحلة الثانية، التي تُطلق بالتوازي، فستتضمن إنشاء منشأة جديدة للطباعة الحجرية مقاس 300 مم مجاورة لمنشأة Fab 7.
إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة مستمدة من مصادر خارجية وهي للمرجعية فقط. لا تمثل هذه المعلومات آراء أو وجهات نظر Gate ولا تشكل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. ينطوي تداول الأصول الافتراضية على مخاطر عالية. يرجى عدم الاعتماد حصرياً على المعلومات الواردة في هذه الصفحة عند اتخاذ القرارات. لمزيد من التفاصيل، يرجى الرجوع على إخلاء المسؤولية.
تعليق
0/400
لا توجد تعليقات