Samsung lidera receita global de DRAM e NAND no 1.º trimestre; SK Hynix domina HBM com 58%

Segundo a Counterpoint Research, a Samsung Electronics deteve 38% das receitas globais de DRAM no primeiro trimestre de 2026, à frente dos 29% da SK Hynix e dos 22% da Micron. Em memória de alta largura de banda (HBM), a SK Hynix liderou com 58%, enquanto a Samsung e a Micron registaram 21% cada. A Samsung também liderou a NAND flash com 29%, seguida pela SK Hynix com 18%, e a chinesa YMTC subiu para 13%, ante 8%.

O mercado de DRAM cresceu 80% em termos trimestrais e 260% em termos anuais, enquanto a NAND expandiu 90% trimestre a trimestre, impulsionado por preços mais elevados, procura de servidores de IA e a mudança dos fornecedores para HBM, DDR5 e armazenamento empresarial.