IDC đẩy mốc bước ngoặt của thị trường bộ nhớ sang năm 2028 khi tình trạng thiếu cung trở nên nghiêm trọng hơn

IT-5,87%
MU4,86%
AMZN0,06%
META0,66%

Công ty nghiên cứu thị trường IDC đã tổ chức một webinar vào ngày 8 với tiêu đề “Memory Market Outlook: Khi nào tình trạng thiếu hụt nguồn cung kết thúc?”, chẩn đoán rằng nguồn cung chặt chẽ đã đẩy “điểm bẻ gãy” của thị trường bộ nhớ sang sau nửa cuối năm 2028. Dự báo của IDC cho thấy tỷ lệ thiếu hụt nguồn cung DRAM sẽ mở rộng lên khoảng 13% vào Quý 4 năm 2027, trong khi thiếu hụt NAND ở mức 3-4% tiếp tục diễn ra xuyên suốt 2027. Các ràng buộc nguồn cung xuất phát từ thay đổi sản xuất mang tính cấu trúc, khi hơn 30% mức tăng công suất DRAM được phân bổ cho các sản phẩm AI như HBM và SOCAMM, với lượng khối lượng đáng kể đã được “khóa” trong các thỏa thuận cung ứng dài hạn nhiều năm.

Dự báo của IDC: Tình trạng thiếu hụt nguồn cung bộ nhớ sẽ sâu hơn trong giai đoạn đến hết 2027

Dự báo của IDC trong webinar cho thấy tỷ lệ đáp ứng cung-cầu DRAM thực tế đã giảm so với dự báo của hãng từ hồi Tháng 3 năm ngoái. Tỷ lệ thiếu hụt nguồn cung DRAM dự kiến sẽ mở rộng lên khoảng 13% vào Quý 4 năm 2027, trong khi thiếu hụt NAND flash ở mức 3-4% được kỳ vọng sẽ tiếp diễn xuyên suốt 2027.

Tỷ lệ tăng trưởng sản xuất DRAM được dự báo sẽ giảm xuống thấp hơn so với tăng trưởng nhu cầu cả trong năm nay và năm tới, trong khi sản xuất NAND được kỳ vọng sẽ bám sát nhu cầu chung. IDC xác định năm nay và năm tới là giai đoạn tăng trưởng kỷ lục trong lịch sử, khi tình trạng thiếu hụt nguồn cung và các đợt tăng giá nhanh chồng chất lên nhau.

Theo IDC, ngay cả khi công suất sản xuất DRAM tăng gần 10%, thì hơn 30% trong số đó được phân bổ cho các sản phẩm AI như bộ nhớ băng thông cao (HBM) và SOCAMM. Khối lượng đáng kể đã được bảo đảm thông qua các thỏa thuận cung ứng dài hạn (LTA) nhiều năm. Ngay cả khi mở rộng nhà máy và thiết bị, lượng “dư” dành cho thị trường DRAM đa dụng chắc chắn sẽ bị giới hạn.

Đối với NAND, ngoài nhà máy mới của Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC) tại Trung Quốc, hầu như không có thêm mở rộng công suất quy mô lớn. Dù tốc độ tăng trưởng đầu tư của các công ty công nghệ lớn có chậm lại phần nào, cấu trúc nguồn cung vẫn thiếu để quay trở lại thị trường NAND đa dụng.

Sản xuất HBM tiêu thụ hơn 30% công suất DRAM mới

Trung tâm của nhu cầu cũng đang dịch chuyển từ mảng di động và PC sang máy chủ và sản phẩm doanh nghiệp. IDC dự báo rằng đến năm 2030, máy chủ và HBM sẽ chiếm hơn 60% nhu cầu DRAM, và tỷ trọng SSD doanh nghiệp trong NAND cũng sẽ mở rộng nhanh.

Khi bộ nhớ chuyển từ vai trò là một linh kiện cho thiết bị điện tử tiêu dùng sang hạ tầng nền tảng hỗ trợ các trung tâm dữ liệu AI, một chu kỳ khác đang hình thành so với trước đây, khi tình trạng thiếu hụt nguồn cung được giải quyết nhanh bằng hoạt động vận hành nhà máy mới.

Jeffreys kỳ vọng giá bộ nhớ sẽ tăng đáng kể trong nửa cuối năm nay và dự báo không có xu hướng giảm rõ ràng cho đến năm 2028. Gartner phân tích rằng nguồn cung DRAM đa dụng sẽ tiếp tục thắt chặt hơn nữa khi HBM hấp thụ một phần đáng kể các mức tăng công suất sản xuất. Counterpoint Research cũng cho rằng quá trình “bình thường hóa” chuỗi cung ứng sẽ diễn ra sớm nhất vào đầu năm 2028.

Micron ký 16 hợp đồng chiến lược, tổng trị giá 100 tỷ USD

Micron đã ký Thỏa thuận Khách hàng Chiến lược (SCA) 5 năm đầu tiên của mình vào Tháng 3 năm ngoái, sau đó nâng số hợp đồng lên 16 trong vòng ba tháng. Trong số đó, 14 hợp đồng có doanh thu lũy kế khoảng 100 tỷ USD theo giá tối thiểu theo hợp đồng cho phần thời gian còn lại của hợp đồng.

Các hợp đồng đã ký bao phủ khoảng 20% khối lượng DRAM của Micron và 1/3 khối lượng NAND trong giai đoạn hợp đồng. Micron kỳ vọng rằng khi hoàn tất tất cả các lần ký kết hợp đồng theo kế hoạch, hơn một nửa tổng doanh thu sẽ thuộc phạm vi áp dụng SCA.

Các hợp đồng có định dạng “take or pay”, trong đó khách hàng có nghĩa vụ mua một số khối lượng nhất định. Điều này cho thấy thị trường bộ nhớ, vốn tập trung vào các cuộc đàm phán giá theo quý, đang chuyển thành một cấu trúc đảm bảo trước khối lượng cho nhiều năm.

Điều này phù hợp với việc IDC chỉ định LTA là điều kiện thiết yếu để đảm bảo khối lượng ổn định. Trong bối cảnh nguồn cung bị giới hạn, các khách hàng không ký hợp đồng dài hạn có thể gặp khó khăn trong việc đảm bảo đủ khối lượng cần thiết ngay cả khi giá tăng.

Nhà sản xuất bộ nhớ chuyển chiến lược từ đàm phán giá sang kiểm soát khối lượng

Một điểm đáng chú ý là sự “tách rời” giữa giá và cung-cầu. IDC cho rằng các đợt tăng giá bộ nhớ đang tiến gần giới hạn, khi giá bắt đầu biến động độc lập với các tỷ lệ đáp ứng cung-cầu. Do giá hợp đồng DRAM máy chủ đã tăng đáng kể mỗi quý trong năm nay, việc điều tiết tốc độ tăng trong tương lai là một bước tiến tự nhiên.

Dù một số giá sản phẩm có thể giảm xuống thấp hơn tháng hoặc quý trước, nếu giá tuyệt đối vẫn ở mức cao kỷ lục và tình trạng thiếu hụt nguồn cung tiếp tục, thì điều này khó có thể được xem là tín hiệu cho sự đảo chiều của ngành.

Chiến lược của nhà sản xuất cũng nhiều khả năng sẽ chuyển từ tăng giá sang kiểm soát khối lượng. Việc tăng giá vô thời hạn có thể làm tăng sức cản từ các nhà sản xuất thiết bị tiêu dùng đối với PC và smartphone. Thay vào đó, nhà sản xuất có thể duy trì mức sinh lời cao bằng cách điều chỉnh khối lượng cung theo từng sản phẩm và từng khách hàng, đồng thời ưu tiên phân bổ khối lượng cho các khách hàng chiến lược có hợp đồng dài hạn.

Vẫn còn nhiều biến số. Các thông báo kết quả kinh doanh của các công ty công nghệ lớn và kế hoạch đầu tư AI từ Google, Amazon và Meta là các “điểm rẽ” để xác nhận độ bền vững của nhu cầu. Khả năng việc tăng giá bộ nhớ ở mức cao làm tăng gánh nặng chi phí cho sản phẩm tiêu dùng và làm suy giảm nhu cầu cũng không thể bị loại trừ.

Tuy nhiên, việc điều tiết tốc độ tăng giá và giải quyết tình trạng thiếu hụt nguồn cung không nên được xem là cùng một thứ. Các ràng buộc kỹ thuật của HBM, khối lượng đầu vào wafer cao và các hợp đồng dài hạn đang mở rộng tiếp tục giới hạn nguồn cung bộ nhớ đa dụng.

Phó Chủ tịch IDC Kim Su-gyeom cho biết: “Các chu kỳ bộ nhớ vẫn tồn tại, nhưng chúng kéo dài hơn so với trước đây và có đặc tính chiến lược mạnh hơn. Điểm bẻ gãy của thị trường bộ nhớ đã bị lùi khoảng 1 năm và dự kiến sẽ xuất hiện vào năm 2028, sau đó là các điều chỉnh dần dần.”

FAQ

Q1: IDC dự báo điểm bẻ gãy của thị trường bộ nhớ sẽ xảy ra khi nào?

A1: IDC dự báo điểm bẻ gãy của thị trường bộ nhớ đã bị đẩy sang sau nửa cuối năm 2028, tức muộn hơn khoảng 1 năm so với các dự phóng trước đó, do điều kiện nguồn cung chặt chẽ.

Q2: Tỷ lệ phần trăm công suất sản xuất DRAM mới được phân bổ cho các sản phẩm AI là bao nhiêu?

A2: Theo IDC, hơn 30% mức tăng công suất DRAM được phân bổ cho các sản phẩm AI như HBM và SOCAMM, với lượng khối lượng đáng kể đã được bảo đảm thông qua các thỏa thuận cung ứng dài hạn nhiều năm.

Q3: Micron đã ký bao nhiêu thỏa thuận khách hàng chiến lược và tổng giá trị của chúng là bao nhiêu?

A3: Micron đã nâng các thỏa thuận khách hàng chiến lược lên 16 trong vòng ba tháng kể từ khi ký hợp đồng đầu tiên vào Tháng 3 năm ngoái. Trong số đó, 14 hợp đồng có doanh thu lũy kế khoảng 100 tỷ USD theo các giá tối thiểu theo hợp đồng, bao phủ khoảng 20% khối lượng DRAM của Micron và 1/3 khối lượng NAND.

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.
Bình luận
0/400
Không có bình luận