تنفق شركتا الذاكرة في الصين 6.3 مليار يوان صيني، وتصل الطاقة الإنتاجية الشهرية لشرائح DDR5 لشركة تشينغشين (Changxin) إلى 350 ألف شريحة

تعتزم شركة تشانغشينغ للتخزين (CXMT) وشركة يانغتسي للذاكرة (YMTC) إنفاق ما مجموعه 63 مليار يوان صيني على النفقات الرأسمالية لزيادة الطاقة الإنتاجية من خلال شراء خطوط إنتاج؛ وإذا اكتمل المخطط في موعده، فستقترب الطاقة الإنتاجية الشهرية لشرائح DRAM لدى تشانغشينغ بحلول نهاية 2026 من 350 ألف شريحة، وهو رقم لا يفصلها سوى أقل من عُشر عن التقدير المتزامن لشركة ميكرون (Micron) البالغ 375 ألف شريحة.

مسار تعريض متعدد DUV لدى تشانغشينغ للتخزين

وفقًا لما ورد في التقرير، فإن تشانغشينغ للتخزين—في ظل عدم القدرة على الحصول على معدات EUV (التعريض بالأشعة فوق البنفسجية القصوى)—تعتمد الحل التالي: استخدام معدات DUV أقدم (الأشعة فوق البنفسجية العميقة) مع تقنية التعريض المتعدد، أي تعريض نفس شريحة السيليكون عدة مرات؛ وذلك لتعويض زيادة الخطوات في عملية التصنيع للوصول إلى دقة الدوائر التي كان يمكن الحصول عليها أصلاً عبر EUV. وتكمن التكاليف في زيادة الضغط على نسبة العائد وتكلفة إنتاج الشريحة؛ لكن المقابل هو القدرة على شحن وحدات ذاكرة DDR5 (8000 MT/s) ووحدات LPDDR5X، مما يتيح لها التوجه مباشرةً إلى السوق الذي يشتد فيه نقص إمدادات الذاكرة لاحتياجات خوادم الذكاء الاصطناعي.

بالإضافة إلى ذلك، فإن كفاءة تشانغشينغ للتخزين في بناء غرف نظيفة خلال نحو 12 شهراً تمنحها ميزة زمنية في ظل إطالة مواعيد تسليم المعدات عالمياً—ففي الوقت الذي تعمل فيه تشانغشينغ على اختبار العائد في خطوط التشغيل، قد يكون المنافسون لا زالوا بانتظار وصول المعدات.

توطين معدات أشباه الموصلات الصينية وتشتت التقنيات

وفقًا لما ورد في التقرير، فإن توسع الطاقة الإنتاجية من شأنه أن يؤثر على بنية سلسلة الإمداد عبر عدة جوانب، من بينها أن نسبة التوريد المحلي لمعدات أشباه الموصلات في الصين حالياً تقارب 23.2% (أكثر من 70% لا زال يعتمد على الاستيراد)؛ لكن توقعات مشتريات تشانغشينغ للتخزين لعام 2026 ستوفر للموردين المحليين نحو 10 مليارات يوان صيني من أعمال جديدة، لتشكيل دورة إيجابية من نوع: «إعاشة السوق للموردين، ثم قيام الموردين برفع العائد بجانب ما يقدمونه»، ما يرجح خفض نسبة الاعتماد على الاستيراد تدريجياً عاماً بعد عام.

ومن ناحية تشتت التقنيات، تدفع الحكومة الصينية تشانغشينغ للتخزين إلى نقل ملكية تقنية DRAM (براءات عمليات التصنيع وحيل الإنتاج) إلى شركة فوتشن أمم الصينية (Fujian Jinhua) وشركات شنغ وي شي وغيرها من الشركات، إضافة إلى شركة تشانغ جيانغ للذاكرة التابعة الجديدة «سين شين»، بهدف تخفيف أثر الضربة الواحدة الناتجة عن العقوبات الأميركية، والاستعداد مسبقاً لاقتحام أسواق الاتحاد الأوروبي والولايات المتحدة مستقبلاً.

الأسئلة الشائعة

كيف تنتج تشانغشينغ للتخزين شرائح DDR5 المتقدمة دون معدات EUV؟

وفقًا لما ورد في التقرير، تستخدم تشانغشينغ للتخزين معدات DUV (الأشعة فوق البنفسجية العميقة) مع تقنية التعريض المتعدد، أي تعريض نفس شريحة السيليكون عدة مرات؛ لزيادة خطوات عملية التصنيع مقابل الحصول على دوائر أدق. وتتمثل التكاليف في ضغط أعلى على نسبة العائد وتكلفة إنتاج الشريحة؛ لكن ذلك يمكّن تشانغشينغ من إنتاج وحدات DDR5 (8000 MT/s) وLPDDR5X وتوريدها مباشرة إلى سوق خوادم الذكاء الاصطناعي.

كيف تقارن الطاقة الإنتاجية الشهرية لـ DRAM لدى تشانغشينغ للتخزين بنهاية 2026 مع شركة ميكرون؟

وفقًا لما ذكره محللون، إذا اكتمل مخطط زيادة الطاقة الإنتاجية لدى تشانغشينغ للتخزين في الموعد، فإن الطاقة الشهرية بحلول نهاية 2026 ستقترب من 350 ألف شريحة. ومن جانب ميكرون، تبلغ الطاقة الشهرية المتوقعة في التوقيت نفسه نحو 375 ألف شريحة، بفارق أقل من عُشر (حوالي 6.7%). أما بالنسبة إلى NAND لدى تشانغ جيانغ للذاكرة، فتبلغ التوقعات أن تتجاوز الطاقة الشهرية 170 ألف شريحة بعد بلوغ أقصى تحميل. وتبقى الأرقام التفصيلية رهناً بالتقارير المالية الرسمية الأحدث لكل شركة وبآخر تقارير مؤسسات أبحاث الصناعة.

ما تأثير توسع صناعة الذاكرة لدى الصين على سوق معدات أشباه الموصلات العالمية؟

وفقًا لتوقعات SEMI (الرابطة الدولية لصناعة أشباه الموصلات)، سيتوسع سوق معدات أشباه الموصلات العالمي من 116.6 مليار دولار في 2024 إلى 155.6 مليار دولار في 2027، ما يعني نمو الحجم الإجمالي للسوق؛ كما ستلعب خطط توسع الشركات الصينية دوراً مهماً في هذا النمو. ومع ذلك، فإن قيام الشركات الثلاث الكبرى في قطاع الذاكرة (سامسونغ وSK هاينيكس وميكرون) بتعزيز الإنفاق الرأسمالي في الوقت نفسه يزيد من حدة المنافسة باستمرار.