Intel erwägt beidseitige Stromversorgung für 1,4 nm 14A-Prozess, Risikoproduktion im Jahr 2028

Laut BlockBeats vom 5. Juli erwägt Intel die Einführung einer beidseitigen Stromversorgungsarchitektur für seinen 1,4-nm-Klasse-14A-Prozessknoten, um mit TSMC und Samsung zu konkurrieren. Das Unternehmen plante ursprünglich, die PowerDirect-Rückseiten-Stromversorgungstechnologie in 14A zu verwenden, bewertet nun aber einen Dual-Side-Ansatz, der sowohl vordere als auch hintere Metallschichten nutzt. Der 14A-Prozess von Intel zielt auf einen M0-Abstand von 28 Nanometern mit einer 1,3x höheren Chipdichte als 18A; das nachfolgende 14A2-Verfahren könnte durch Halbknoten-Verbesserungen einen M0-Abstand von 21 nm erreichen. Intel strebt an, das 14A-Prozess-Design-Kit Version 0,9 im Oktober 2026 an externe Kunden auszuliefern, die Risikoproduktion von 14A ist für 2028 und die Massenproduktion für 2029 geplant.
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