ロイターによると、Tower Semiconductorは本日（7月14日）、日本での半導体製造拡大のために30億ドルの投資を発表し、そのうち10億ドルは日本政府からの資金提供によるものです。同社は2段階で300mmのシリコンフォトニクスデバイスの生産能力を増強します。第1段階ではFab 6施設のアップグレードを行い、2027年第4四半期に本格生産を開始する見込みです。並行して開始される第2段階では、Fab 7施設の隣接地に新たな300mmリソグラフィ・ファブを建設します。
免責事項：本ページの情報には第三者提供の内容が含まれる場合があり、参考目的のみで提供されています。これらはGateの見解や意見を示すものではなく、金融、投資、または法律上の助言を構成するものでもありません。暗号資産取引には高いリスクが伴います。意思決定を行う際には、本ページの情報のみに依存しないでください。詳細については、
免責事項をご確認ください。
